您的當前位置：首頁 > 常見問題
三星宣布7nm LPP量產！基于EUV光刻技術、性能增加20%
三星官方宣布，已經開始進行7nm LPP（Low Power Plus）工藝芯片的量產工作。據悉，三星的7nm LPP采用EUV光刻，機器采購自荷蘭ASML（阿斯麥），型號為雙工件臺NXE:3400B（光源功率280W），日產能1500片。
簡單來說，EUV使用13.5nm波長的極紫外光曝光硅片，而傳統的氟化氬(ArF)浸沒式光刻則是依靠193nm波長，并且需要昂貴的多模掩模裝置。EUV技術使得使用單個光罩來創建硅晶圓層成為可能，而ArF可能需要多達4倍的光罩才能創建相同的晶片。也就是說，與非EUV工藝相比，三星的7 LPP工藝可使光罩總數減少約20%，為客戶能夠節省時間和成本。
三星透露，其從2000年左右就著手研究EUV技術了。
技術指標上，對比10nm FinFET，三星7nm LPP可實現面積能效（同樣復雜度為量綱）提升40%、性能增加20%、功耗降低最多50%。
三星透露，基于EUV的7nm LPP成功量產為其推進3nm奠定了基礎、指明了道路。產能方面，主要在韓國華城的S3工廠，2020年前會在開一條新產線。
目前已知，高通新一代的5G基帶會采用三星的7nm LPP工藝，看起來驍龍8150/8180等SoC希望也很大。
圖為三星EUV產線
免責聲明:文章內容均來自互聯網收集而來，版權歸原創者所有，如果侵犯了你的權益，請通知我們，我們會及時刪除侵權內容
三星官方宣布，已經開始進行7nm LPP（Low Power Plus）工藝芯片的量產工作。據悉，三星的7nm LPP采用EUV光刻，機器采購自荷蘭ASML（阿斯麥），型號為雙工件臺NXE:3400B（光源功率280W），日產能1500片。
簡單來說，EUV使用13.5nm波長的極紫外光曝光硅片，而傳統的氟化氬(ArF)浸沒式光刻則是依靠193nm波長，并且需要昂貴的多模掩模裝置。EUV技術使得使用單個光罩來創建硅晶圓層成為可能，而ArF可能需要多達4倍的光罩才能創建相同的晶片。也就是說，與非EUV工藝相比，三星的7 LPP工藝可使光罩總數減少約20%，為客戶能夠節省時間和成本。
三星透露，其從2000年左右就著手研究EUV技術了。
技術指標上，對比10nm FinFET，三星7nm LPP可實現面積能效（同樣復雜度為量綱）提升40%、性能增加20%、功耗降低最多50%。
三星透露，基于EUV的7nm LPP成功量產為其推進3nm奠定了基礎、指明了道路。產能方面，主要在韓國華城的S3工廠，2020年前會在開一條新產線。
目前已知，高通新一代的5G基帶會采用三星的7nm LPP工藝，看起來驍龍8150/8180等SoC希望也很大。
圖為三星EUV產線
免責聲明:文章內容均來自互聯網收集而來，版權歸原創者所有，如果侵犯了你的權益，請通知我們，我們會及時刪除侵權內容
